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MOSFET

適用於在電路中做快速開關

一般是金屬（metal）—氧化物（oxide）—電晶體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—電晶體。 G:gate柵極； S:source源極； D:drain漏極。 MOS管的source（源極）和drain（漏極）是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情况下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。這樣的器件被認為是對稱的。

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